半導体レーザ素子の製造方法

Method of manufacturing semiconductor laser device

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor laser device which can suppress generation of COD and can also suppress deterioration in electrode bonding property. SOLUTION: After electrodes have been formed on an upper and a lower face of a multilayered structure which is formed of a semiconductor material, the multilayered structure is cleaved to form end faces of a resonator. Then, a compound semiconductor is formed on each end face of the resonator by an epitaxial growth method, and then at least one of the electrodes is dry- etched, using preferably, Ar.
(57)【要約】 【課題】 CODの発生が抑制されており、また電極の ボンディング性の劣化も抑制されている半導体レーザ素 子を製造する方法を提供する。 【解決手段】 半導体材料から成る積層構造の上面およ び下面のそれぞれに電極を形成したのち、積層構造を劈 開して共振器の端面を形成し、ついで、共振器の端面に 化合物半導体をエピタキシャル結晶成長させたのち、電 極の少なくとも一方に好適にはArを用いた乾式エッチ ング処理を行う半導体レーザ素子の製造方法。

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